IRGB6B60KDPBF数据手册批发采购英飞凌IRF-114ic电子网

首页 >IRGB6B60KDPBF>规格书列表

型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
IRGB6B60KDPBF	文件：307.26 Kbytes Page：15 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10μs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Lead-Free Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Ru 文件：307.26 Kbytes 页数：15 Pages	IRF	IRF
IRGB6B60KDPBF	文件：316.13 Kbytes Page：15 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10μs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Lead-Free Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Ru 文件：316.13 Kbytes 页数：15 Pages	IRF	IRF
IRGB6B60KDPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 13A 90W TO220AB	Infineon 英飞凌	Infineon
IRGB6B60KPBF	文件：295.97 Kbytes Page：14 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • Lead-Free. Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged Transient Performance. • Low EMI. • Excellent Current Sharing 文件：295.97 Kbytes 页数：14 Pages	IRF	IRF
IRGIB6B60KD	文件：273.19 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged Transien 文件：273.19 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRGIB6B60KD	文件：282.83 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control. • Rugged Transien 文件：282.83 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF

产品属性

产品编号：
IRGB6B60KDPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
IGBT 类型：
NPT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，5A
开关能量：
110µJ（开），135µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
25ns/215ns
测试条件：
400V，5A，100 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220AB
描述：
IGBT 600V 13A 90W TO220AB

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市卓越微芯电子有限公司	IRGB6B60KDPBF	IR	25+	TO-220	9600	百分百原装正品真实公司现货库存本公司只做原装可	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	IRGB6B60KDPBF	INFINEON/英飞凌	25+	TO-220	32360	INFINEON/英飞凌全新特价IRGB6B60KDPBF即刻询购立享优惠#长期有货	询价
深圳市创新迹电子有限公司	IRGB6B60KDPBF	INFINEON/英飞凌	2021+	TO-220	9000	原装现货,随时欢迎询价	询价
深圳市勤思达科技有限公司	IRGB6B60KDPBF	IR	24+	N/A	8000	全新原装正品,现货销售	询价
柒号芯城电子商务(深圳)有限公司	IRGB6B60KDPBF	IR	2024+	N/A	70000	柒号只做原装现货价秒杀全网	询价
深圳瞄钧科技有限公司	IRGB6B60KDPBF	IR	24+	TO-220	45000	IR代理原包原盒,假一罚十。最低价	询价
深圳市中联芯电子有限公司	IRGB6B60KDPBF	IR	24+	TO-220	5790	只做原装假一赔十	询价
深圳市一线半导体有限公司	IRGB6B60KDPBF	IR	24+	TO-220-3	234		询价
深圳市鹏和科技有限公司	IRGB6B60KDPBF	IR	24+	TO-220	5000	只做原装公司现货	询价
深圳市达恩科技有限公司	IRGB6B60KDPBF	Infineon	24+	NA	3250	进口原装正品优势供应	询价

更多IRGB6B60KDPBF供应商更新时间2025-12-24 9:08:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号