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IRGB6B60KDPBF中文资料PDF规格书
厂商型号 |
IRGB6B60KDPBF |
参数属性 | IRGB6B60KDPBF 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 13A 90W TO220AB |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
文件大小 |
307.26 Kbytes |
页面数量 |
15 页 |
生产厂商 | International Rectifier |
企业简称 |
IRF【英飞凌】 |
中文名称 | 英飞凌科技公司官网 |
原厂标识 | |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-5-17 22:30:00 |
IRGB6B60KDPBF规格书详情
Features
• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.
• Low Diode VF.
• 10μs Short Circuit Capability.
• Square RBSOA.
• Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.
• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.
• Lead-Free
Benefits
• Benchmark Efficiency for Motor Control.
• Rugged Transient Performance.
• Low EMI.
• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.
产品属性
- 产品编号:
IRGB6B60KDPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
卷带(TR)
- IGBT 类型:
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.2V @ 15V,5A
- 开关能量:
110µJ(开),135µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
25ns/215ns
- 测试条件:
400V,5A,100 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220AB
- 描述:
IGBT 600V 13A 90W TO220AB
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2020+ |
TO-220 |
80000 |
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询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-220 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO220 |
58000 |
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INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-220 |
76000 |
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INFINEON/英飞凌 |
21+ |
TO-220 |
5790 |
全新、原装 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO-220 |
89630 |
当天发货全新原装现货 |
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Infineon/Infineon Technologies |
21+ |
TO-220 |
11711 |
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INFINEON |
2022+ |
TO-220 |
57550 |
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IR |
23+ |
TO-220 |
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Infineon Technologies |
23+ |
TO220AB |
9000 |
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询价 |