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IRGB6B60KDPBF中文资料PDF规格书

IRGB6B60KDPBF
厂商型号

IRGB6B60KDPBF

参数属性

IRGB6B60KDPBF 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单;产品描述:IGBT 600V 13A 90W TO220AB

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件大小

307.26 Kbytes

页面数量

15

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF英飞凌

中文名称

英飞凌科技公司官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-5-17 22:30:00

IRGB6B60KDPBF规格书详情

Features

• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.

• Low Diode VF.

• 10μs Short Circuit Capability.

• Square RBSOA.

• Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.

• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

• Lead-Free

Benefits

• Benchmark Efficiency for Motor Control.

• Rugged Transient Performance.

• Low EMI.

• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.

产品属性

  • 产品编号:

    IRGB6B60KDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.2V @ 15V,5A

  • 开关能量:

    110µJ(开),135µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    25ns/215ns

  • 测试条件:

    400V,5A,100 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT 600V 13A 90W TO220AB

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