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IRGB6B60KD分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

厂商型号 |
IRGB6B60KD |
参数属性 | IRGB6B60KD 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 13A 90W TO220AB |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
封装外壳 | TO-220-3 |
文件大小 |
307.2 Kbytes |
页面数量 |
15 页 |
生产厂商 | International Rectifier |
企业简称 |
IRF |
中文名称 | International Rectifier官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-6-22 21:06:00 |
人工找货 | IRGB6B60KD价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
IRGB6B60KD规格书详情
Features
• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.
• Low Diode VF.
• 10µs Short Circuit Capability.
• Square RBSOA.
• Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.
• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.
• TO-220 is available in PbF as a Lead-Free
Benefits
• Benchmark Efficiency for Motor Control.
• Rugged Transient Performance.
• Low EMI.
• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.
产品属性
- 产品编号:
IRGB6B60KDPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
卷带(TR)
- IGBT 类型:
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.2V @ 15V,5A
- 开关能量:
110µJ(开),135µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
25ns/215ns
- 测试条件:
400V,5A,100 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-220-3
- 供应商器件封装:
TO-220AB
- 描述:
IGBT 600V 13A 90W TO220AB
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
2023+ |
TO-220 |
6100 |
专注全新正品,优势现货供应 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-220 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
IR |
24+ |
NA/ |
148 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-220AB |
8866 |
询价 | |||
IR |
19+ |
TO-220 |
75150 |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂; |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-220 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
询价 | ||
INF |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-220AB |
7300 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO220 |
7000 |
询价 | |||
Infineon |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 |