| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
INFINEON/英飞凌TO-220 |
3000 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
|||
|
深圳市龙瀚电子有限公司2年
留言
|
IRTO-220 |
6146 |
16+ |
全新原装/深圳现货库2 |
|||
|
深圳市华斯顿科技有限公司14年
留言
|
IRTO-220 |
15143 |
22+23+ |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
TO-220 |
68900 |
IR |
原包原标签100%进口原装常备现货! |
|||
|
深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
|
IRTO-220 |
11333 |
23+ |
||||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
IRTO-220 |
562000 |
2320+ |
16年只做原装原标渠道现货终端BOM表可配单提供样品 |
|||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
|
TH/韩国太虹TO-220 |
9851 |
2048+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
|||
|
标准国际(香港)有限公司16年
留言
|
IR |
9 |
13+ |
公司优势库存 热卖中! |
|||
|
深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
|
IRTO-220 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
||||
|
深圳市惊羽科技有限公司4年
留言
|
INFINEON-英飞凌TO-220-3 |
6328 |
24+25+/26+27+ |
|
一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库 |
||
|
深圳市维尔达电子有限公司7年
留言
|
IR-internT0-220 |
80000 |
2023+ |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
|||
|
深圳市赛能新源半导体有限公司4年
留言
|
IR/INFINEONTO-220 |
56000 |
21+ |
公司进口原装现货 批量特价支持 |
|||
|
深圳市中联芯电子有限公司9年
留言
|
IRT0-220 |
15000 |
23+ |
只做全新原装正品现货 假一罚十 |
|||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
Infineon TechnologiesTO220AB |
9000 |
22+ |
原厂渠道,现货配单 |
|||
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
|
IRTOTO-220AB |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
|||
|
深圳市纳艾斯科技有限公司9年
留言
|
IR/INFINEONTO-220 |
80000 |
2020+ |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
|
深圳诚思涵科技有限公司9年
留言
|
IRTO-220A |
85600 |
18+ |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
|||
|
艾睿国际（香港）有限公司2年
留言
|
INFINEON/英飞凌SMD |
100500 |
2021+ |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
|||
|
深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
|
IRTOTO-220AB |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
|||
|
深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
|
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
IRGB20B60PD1PBF采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRGB20B60PD1PBF图片
IRGB20B60PD1PBF价格
IRGB20B60PD1PBF价格：￥14.0436品牌：INTERNATIONAL
生产厂家品牌为INTERNATIONAL的IRGB20B60PD1PBF多少钱，想知道IRGB20B60PD1PBF价格是多少？参考价：￥14.0436。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRGB20B60PD1PBF批发价格及采购报价，IRGB20B60PD1PBF销售排行榜及行情走势，IRGB20B60PD1PBF报价。
IRGB20B60PD1PBF资讯
IRGB20B60PD1PBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRGB20B60PD1PBF功能描述:IGBT 晶体管 600V Warp2 150kHz RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
产品属性
- 产品编号：
IRGB20B60PD1PBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
卷带（TR）
- IGBT 类型：
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.8V @ 15V，20A
- 开关能量：
95µJ（开），100µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
20ns/115ns
- 测试条件：
390V，13A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220AB
- 描述：
IGBT 600V 40A 215W TO220AB
