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IRGB20B60PD1PBF

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • NPT Technology, Positive Temperature Coefficient • Lower VCE(SAT) • Lower Parasitic Capacitances • Minimal Tail Current • HEXFRED Ultra Fast Soft-Recovery Co-Pack Diode • Tighter Distribution of Parameters •

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IRGB20B60PD1PBF

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRGB20B60PD1PBF_15

WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRGB20B60PD1PBF

Package:TO-220-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 40A 215W TO220AB

INFINEON

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    IRGB20B60PD1PBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • IGBT 类型:

    NPT

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.8V @ 15V,20A

  • 开关能量:

    95µJ(开),100µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    20ns/115ns

  • 测试条件:

    390V,13A,10 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220AB

  • 描述:

    IGBT 600V 40A 215W TO220AB

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更多IRGB20B60PD1PBF供应商 更新时间2026-2-1 13:38:00