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IRGB30B60KPBF	文件：323.09 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology • 10µs Short Circuit Capability • Square RBSOA • Positive VCE (on) Temperature Coefficient • Maximum Junction Temperature rated at 175°C • Lead-Free Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control • Rugged Transient Performance 文件：323.09 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF
IRGB30B60KPBF	文件：385.77 Kbytes Page：14 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology • 10µs Short Circuit Capability • Square RBSOA • Positive VCE (on) Temperature Coefficient • Maximum Junction Temperature rated at 175°C • Lead-Free Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control • Rugged Transient Performance 文件：385.77 Kbytes 页数：14 Pages	IRF	IRF
IRGB30B60KPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 78A 370W TO220AB	Infineon 英飞凌	Infineon
IRGP30B60KD	文件：303.2 Kbytes Page：2 Pages	NPT IGBT DESCRIPTION · Low Diode VF · 10μs Short Circuit Capability · Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics APPLICATIONS · Low EMI · Rugged Transient Performance · Benchmark Efficiency for Motor Control 文件：303.2 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IRGP30B60KD-E	文件：603.76 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • TO-247AD Package Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control 文件：603.76 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRGP30B60KD-EP	文件：276.23 Kbytes Page：13 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology. • Low Diode VF. • 10µs Short Circuit Capability. • Square RBSOA. • Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics. • Positive VCE (on) Temperature Coefficient. • TO-247AD Package • Lead-Free Benefits • Benchmark Efficiency for 文件：276.23 Kbytes 页数：13 Pages	IRF	IRF

产品属性

产品编号：
IRGB30B60KPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
NPT
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.35V @ 15V，30A
开关能量：
350µJ（开），825µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
46ns/185ns
测试条件：
400V，30A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220AB
描述：
IGBT 600V 78A 370W TO220AB

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