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IRG7PH42UDPBF	文件：440.81 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：440.81 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
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IRG7PH42UDPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH 1200V 85A TO247AC	Infineon 英飞凌	Infineon

产品属性

产品编号：
IRG7PH42UDPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟道
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，30A
开关能量：
2.11mJ（开），1.18mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
25ns/229ns
测试条件：
600V，30A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AC
描述：
IGBT TRENCH 1200V 85A TO247AC

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更多IRG7PH42UDPBF供应商更新时间2025-12-24 9:32:00

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