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| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
IRG7PH42UPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Low VCE (ON) trench IGBT technology • Low switching losses • Maximum junction temperature 175 °C • Square RBSOA • 100 of the parts tested for ILM • Positive VCE (ON) temperature co-efficient • Tight parameter distribution • Lead -Free Benefits • High efficiency in a wide range 文件：403.08 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | |
IRG7PH42UPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：296.88 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：296.88 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
IRG7PH42UPBF | Package：TO-247-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 1200V 90A 385W TO247AC | Infineon 英飞凌 | Infineon |
产品属性
- 产品编号：
IRG7PH42UPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，30A
- 开关能量：
2.11mJ（开），1.18mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
25ns/229ns
- 测试条件：
600V，30A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247AC
- 描述：
IGBT 1200V 90A 385W TO247AC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon |
24+ |
NA |
3635 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
International Rectifier |
2022+ |
1 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
MURATA/村田 |
23+ |
SMD |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
询价 | ||
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物 |
询价 | ||
INFINEON |
25+ |
TO-247 |
326 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
询价 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
228 |
加我QQ或微信咨询更多详细信息, |
询价 | ||
IR |
21+ |
TO-247 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
TO247AC |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
Infineon |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 |
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