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| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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IRG7PH35UPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Low VCE (ON) trench IGBT technology • Low switching losses • Maximum junction temperature 175 °C • Square RBSOA • 100 of the parts tested for ILM • Positive VCE (ON) temperature co-efficient • Tight parameter distribution • Lead -Free Benefits • High efficiency in a wide range 文件：379.97 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | |
IRG7PH35UPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：379.97 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：379.97 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
IRG7PH35UPBF | Package：TO-247-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 1200V 55A 210W TO247AC | Infineon 英飞凌 | Infineon |
产品属性
- 产品编号：
IRG7PH35UPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，20A
- 开关能量：
1.06mJ（开），620µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
30ns/160ns
- 测试条件：
600V，20A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247AC
- 描述：
IGBT 1200V 55A 210W TO247AC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2024+ |
N/A |
70000 |
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询价 | ||
Infineon |
24+ |
NA |
3512 |
进口原装正品优势供应 |
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VISHAY |
24+ |
TO-247 |
12000 |
VISHAY专营进口原装现货假一赔十 |
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International Rectifier |
2022+ |
1 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
IR |
2012+ |
TO247 |
1600 |
普通 |
询价 | ||
Infineon |
1931+ |
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493 |
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INFINEON |
25+ |
TO-247 |
3000 |
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Infineon |
22+ |
NA |
493 |
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Infineon Technologies |
22+ |
TO247AC |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ir |
25+ |
500000 |
行业低价,代理渠道 |
询价 |
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