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IRG7PH42UD-EP	文件：440.81 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG7PH42UD-EP	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 85A 320W TO247AD	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IRG7PH42UDPBF	文件：440.81 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
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IRG7PH42U-EP	文件：403.08 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR Features •LowVCE(ON)trenchIGBTtechnology •Lowswitchinglosses •Maximumjunctiontemperature175°C •SquareRBSOA •100ofthepartstestedforILM •PositiveVCE(ON)temperatureco-efficient •Tightparameterdistribution •Lead-Free Benefits •Highefficiencyinawiderange	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG7PH42UPBF	文件：296.88 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
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产品属性

产品编号：
IRG7PH42UD-EP
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟道
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，30A
开关能量：
2.11mJ（开），1.18mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
25ns/229ns
测试条件：
600V，30A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AD
描述：
IGBT 1200V 85A 320W TO247AD

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