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IRG7PH42U-EP分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IRG7PH42U-EP |
| 参数属性 | IRG7PH42U-EP 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1200V 90A 385W TO247AD |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
403.08 Kbytes |
| 页面数量 |
10 页 |
| 生产厂商 | International Rectifier |
| 企业简称 |
IRF |
| 中文名称 | International Rectifier官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-7-2 23:00:00 |
| 人工找货 | IRG7PH42U-EP价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRG7PH42U-EP规格书详情
Features
• Low VCE (ON) trench IGBT technology
• Low switching losses
• Maximum junction temperature 175 °C
• Square RBSOA
• 100 of the parts tested for ILM
• Positive VCE (ON) temperature co-efficient
• Tight parameter distribution
• Lead -Free
Benefits
• High efficiency in a wide range of applications
• Suitable for a wide range of switching frequencies due to
low VCE (ON) and low switching losses
• Rugged transient performance for increased reliability
• Excellent current sharing in parallel operation
Applications
• U.P.S
• Welding
• Solar inverter
• Induction heating
产品属性
- 产品编号：
IRG7PH42U-EP
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，30A
- 开关能量：
2.11mJ（开），1.18mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
25ns/229ns
- 测试条件：
600V，30A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247AD
- 描述：
IGBT 1200V 90A 385W TO247AD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
3277 |
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IR |
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