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IRG4RC10KD分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

IRG4RC10KD
厂商型号

IRG4RC10KD

参数属性

IRG4RC10KD 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 9A 38W DPAK

功能描述

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A)

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

文件大小

190.21 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 International Rectifier
企业简称

IRF

中文名称

International Rectifier官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-16 20:00:00

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IRG4RC10KD规格书详情

Short Circuit Rated UltraFast IGBT

Features

• High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V

• Combines low conduction losses with high switching speed

• Tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations

• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultrasoft recovery antiparallel diodes

Benefits

• Latest generation 4 IGBTs offer highest power density motor controls possible

• HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs. Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and switching losses

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4RC10KD

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.62V @ 15V,5A

  • 开关能量:

    250µJ(开),140µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    49ns/97ns

  • 测试条件:

    480V,5A,100 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    D-Pak

  • 描述:

    IGBT 600V 9A 38W DPAK

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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SOT252
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