IRG4RC10KD规格书供应代理英飞凌IRF-114ic电子网

首页 >IRG4RC10KD>规格书列表

零件型号	下载订购	功能描述	制造商上传企业	LOGO
IRG4RC10KD	文件：190.21 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A) ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations	IRF International Rectifier	IRF
IRG4RC10KD	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 9A 38W DPAK	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRG4RC10KDPBF	文件：326.33 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration	IRF International Rectifier	IRF
IRG4RC10KDTRPBF	文件：326.33 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration	IRF International Rectifier	IRF
IRG4RC10KDPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRG4RC10KDTRPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT 模块 600V 8.500A;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRG4RC10KDPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 9A 38W DPAK	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRG4RC10KDTRPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 9A 38W DPAK	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

产品属性

产品编号：
IRG4RC10KD
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.62V @ 15V，5A
开关能量：
250µJ（开），140µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
49ns/97ns
测试条件：
480V，5A，100 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
D-Pak
描述：
IGBT 600V 9A 38W DPAK

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市创新迹电子有限公司	IRG4RC10KD	IR	2021+	TO-252	9000	原装现货,随时欢迎询价	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	IRG4RC10KD	IR	24+	TO 247	161270	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市汇莱威科技有限公司	IRG4RC10KD	IR	24+	TO-252	501021	免费送样原盒原包现货一手渠道联系	询价
深圳市星佑电子有限公司	IRG4RC10KD	INTERNATIONA	06+	原厂原装	19891	只做全新原装真实现货供应	询价
深圳市一线半导体有限公司	IRG4RC10KD	IR	24+	D-Pak	8866		询价
深圳市勤思达科技有限公司	IRG4RC10KD	IR	1415+	TO-252(DPAK)	28500	全新原装正品,优势热卖	询价
深圳市弘为电子有限公司	IRG4RC10KD	IR	24+	原厂封装	194	原装现货假一罚十	询价
深圳市恒创达实业有限公司	IRG4RC10KD	IR	17+	TO-252	6200	100%原装正品现货	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	IRG4RC10KD	IR	2016+	TO-252	6528	房间原装进口现货假一赔十	询价
深圳市永贝尔科技有限公司	IRG4RC10KD	IRF	23+	NA	19960	只做进口原装,终端工厂免费送样	询价

更多IRG4RC10KD供应商更新时间2025-7-29 9:30:00

客户服务网站合作

Tel：0755 8246 9263
Email：kf＠114ic.com
投诉建议：kf@114ic.com

Copyright © 2003-2025 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号