IRG4RC10KDPBF_分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单-英飞凌

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厂家型号：
IRG4RC10KDPBF
制造商：
INFINEON/英飞凌
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-UGBT、MOSFET-单
封装外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
包装：
管件
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2024-5-20 11:18:00

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原厂料号：IRG4RC10KDPBF品牌：Infineon Technologies

资料说明：IGBT 600V 9A 38W DPAK

IRG4RC10KDPBF是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商INFINEON/英飞凌生产封装TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63的IRG4RC10KDPBF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

芯片型号：
irg4rc10kdpbf
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
INFINEON【英飞凌】详情
厂商全称：
Infineon Technologies AG
中文名称：
英飞凌科技公司
资料说明：
IGBT 600V 9A 38W DPAK

产品属性

类型
描述
产品编号：
IRG4RC10KDPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.62V @ 15V，5A
开关能量：
250µJ（开），140µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
49ns/97ns
测试条件：
480V，5A，100 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
D-Pak
描述：
IGBT 600V 9A 38W DPAK

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IRG4RC10KDPBF_分立半导体产品 晶体管-UGBT、MOSFET-单-英飞凌

IRG4RC10KDPBF

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