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IRG4RC10KDPBF数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
IRG4RC10KDPBF |
| 参数属性 | IRG4RC10KDPBF 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 9A 38W DPAK |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 原厂标识 | Infineon |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 10:35:00 |
| 人工找货 | IRG4RC10KDPBF价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRG4RC10KDPBF规格书详情
简介
IRG4RC10KDPBF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRG4RC10KDPBF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
IRG4RC10KDPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.62V @ 15V，5A
- 开关能量：
250µJ（开），140µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
49ns/97ns
- 测试条件：
480V，5A，100 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
D-Pak
- 描述：
IGBT 600V 9A 38W DPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
TO-252 |
8650 |
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询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
DPak |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IR |
25+ |
8 |
860000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO252 |
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Infineon |
1931+ |
N/A |
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IR |
21+ |
TO-252 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
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Infineon |
22+ |
NA |
2118 |
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IR |
1923+ |
TO-252 |
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International Rectifier |
2022+ |
1 |
全新原装 货期两周 |
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IR |
23+ |
TO-252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
