IRG4PH30KD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

描述 Description

1200V IGBT 与超快4-20 kHz 软恢复二极管联合封装到 TO-247AC 封装中。

特性 Features

• 对电机控制的高短路额定值进行了优化，tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C, VGE = 15V
• 低通态损耗与高开关速度相结合
• 参数分布更紧凑，效率更高
• 与 HEXFREDTM超快、超软恢复反并联二极管联合封装的 IGBT
• 无铅

优势:
• IGBT 提供可行的高功率密度电机控制
• HEXFREDTM 二极管经过与 IGBT 并用优化，将噪声、EMI 和开关损耗降低

应用 Application

• 风扇
• 驱动器和泵
• 太阳能
• 不间断电源（UPS）

简介

IRG4PH30KD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRG4PH30KD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。