首页>IRG4PH30K>规格书详情

IRG4PH30K数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

PDF无图
厂商型号

IRG4PH30K

参数属性

IRG4PH30K 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 20A 100W TO247AC

功能描述

1200V 超快 4-20 kHz 分立 IGBT,采用 TO-247AC 封装
IGBT 1200V 20A 100W TO247AC

封装外壳

TO-247-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

原厂下载下载地址下载地址二

更新时间

2025-8-6 17:05:00

人工找货

IRG4PH30K价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

IRG4PH30K规格书详情

应用 Application

• 冷藏

简介

IRG4PH30K属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRG4PH30K晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IRG4PH30K

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Technology 

    :IGBT Gen 4

  • Switching Frequency min max

    :8.0kHz 30.0kHz

  • Package 

    :TO-247

  • Voltage Class max

    :1200.0V

  • IC(@100°) max

    :10.0A

  • IC(@25°) max

    :20.0A

  • ICpuls max

    :40.0A

  • Ptot max

    :100.0W

  • VCE(sat) 

    :3.1V 

  • Eon 

    :0.64mJ 

  • Eoff(Hard Switching) 

    :0.92mJ 

  • td(on) 

    :27.0ns 

  • tr 

    :26.0ns 

  • td(off) 

    :310.0ns 

  • tf 

    :330.0ns 

  • QGate 

    :94.0nC 

  • Ets  (max)

    :1.56mJ (2.4mJ)

  • Switching Frequency 

    :Gen 4 8-30 kHz

  • VCE max

    :1200.0V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
IR
23+
TO-247
3832
原厂原装正品
询价
IR
21+
TO-247
10000
只做原装,质量保证
询价
IR/INFINEON
23+
TO-247
28000
原装正品
询价
IR
21+
TO-247
30000
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税发票
询价
IR
23+
TO-247
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
询价
IR
22+
TO-247
5000
询价
IR
25+23+
TO-247
28607
绝对原装正品全新进口深圳现货
询价
IR
24+
TO-247
6000
全新原装深圳仓库现货有单必成
询价
Infineon Technologies
25+
TO-247-3
9350
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
询价
IR
24+
TO-247
30000
原装正品公司现货,假一赔十!
询价