IRG4PH30K数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
IRG4PH30K |
参数属性 | IRG4PH30K 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 20A 100W TO247AC |
功能描述 | 1200V 超快 4-20 kHz 分立 IGBT,采用 TO-247AC 封装 |
封装外壳 | TO-247-3 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 17:05:00 |
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IRG4PH30K规格书详情
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简介
IRG4PH30K属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRG4PH30K晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
:IRG4PH30K
- 生产厂家
:Infineon
- Technology
:IGBT Gen 4
- Switching Frequency min max
:8.0kHz 30.0kHz
- Package
:TO-247
- Voltage Class max
:1200.0V
- IC(@100°) max
:10.0A
- IC(@25°) max
:20.0A
- ICpuls max
:40.0A
- Ptot max
:100.0W
- VCE(sat)
:3.1V
- Eon
:0.64mJ
- Eoff(Hard Switching)
:0.92mJ
- td(on)
:27.0ns
- tr
:26.0ns
- td(off)
:310.0ns
- tf
:330.0ns
- QGate
:94.0nC
- Ets (max)
:1.56mJ (2.4mJ)
- Switching Frequency
:Gen 4 8-30 kHz
- VCE max
:1200.0V
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
TO-247 |
3832 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
IR |
21+ |
TO-247 |
10000 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
IR/INFINEON |
23+ |
TO-247 |
28000 |
原装正品 |
询价 | ||
IR |
21+ |
TO-247 |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税发票 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-247 |
10000 |
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询价 | ||
IR |
22+ |
TO-247 |
5000 |
询价 | |||
IR |
25+23+ |
TO-247 |
28607 |
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IR |
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TO-247 |
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Infineon Technologies |
25+ |
TO-247-3 |
9350 |
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询价 | ||
IR |
24+ |
TO-247 |
30000 |
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询价 |