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IRG4PH30K	文件：161.67 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A) Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious g	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PH30K	文件：300 bytes Page：1 Pages	1200V 超快 4-20 kHz 分立 IGBT，采用 TO-247AC 封装;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRG4PH30K	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 20A 100W TO247AC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRG4PH30KD	文件：212.54 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A) Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiency thanpreviousgenerations •IGBTco-packagedwithHE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PH30KD	文件：300 bytes Page：1 Pages	1200V UltraFast 4-20 kHz Copack IGBT in a TO-247AC package; • 对电机控制的高短路额定值进行了优化，tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C, VGE = 15V\n• 低通态损耗与高开关速度相结合\n• 参数分布更紧凑，效率更高\n• 与 HEXFREDTM超快、超软恢复反并联二极管联合封装的 IGBT\n• 无铅\n\n优势:\n• IGBT 提供可行的高功率密度电机控制\n• HEXFREDTM 二极管经过与 IGBT 并用优化，将噪声、EMI 和开关损耗降低\n; 1200V IGBT 与超快4-20 kHz 软恢复二极管联合封装到 TO-247AC 封装中。\n	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRG4PH30KDPBF	文件：468.82 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiency thanpreviousgenerations •IGBTco-packagedwithHE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PH30KPBF	文件：345.91 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated Ultrafast IGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious g	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PH30KDPBF	文件：477.95 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PH30KDPBF_15	文件：477.95 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PH30KPBF	文件：354.86 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	IRF International Rectifier	IRF

产品属性

产品编号：
IRG4PH30K
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
4.2V @ 15V，10A
开关能量：
640µJ（开），920µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
28ns/200ns
测试条件：
960V，10A，23 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AC
描述：
IGBT 1200V 20A 100W TO247AC

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