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IRG4PH30K	文件：161.67 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A) Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Latest generation design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous g 文件：161.67 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4PH30KD	文件：212.54 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A) Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations • IGBT co-packaged with HE 文件：212.54 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4PH30KDPBF	文件：468.82 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations • IGBT co-packaged with HE 文件：468.82 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4PH30KPBF	文件：345.91 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated Ultrafast IGBT Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Latest generation design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous g 文件：345.91 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4PH30KDPBF	文件：477.95 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：477.95 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PH30KDPBF_15	文件：477.95 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：477.95 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PH30KPBF	文件：354.86 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：354.86 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PH30KPBF_15	文件：354.86 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件：354.86 Kbytes 页数：9 Pages	IRF	IRF
IRG4PH30K	文件：300 bytes Page：1 Pages	1200V 超快 4-20 kHz 分立 IGBT，采用 TO-247AC 封装	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4PH30K	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 20A 100W TO247AC	Infineon 英飞凌	Infineon

产品属性

产品编号：
IRG4PH30K
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
4.2V @ 15V，10A
开关能量：
640µJ（开），920µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
28ns/200ns
测试条件：
960V，10A，23 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AC
描述：
IGBT 1200V 20A 100W TO247AC

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