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IRG4PH30KDPBF	文件：468.82 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiency thanpreviousgenerations •IGBTco-packagedwithHE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4PH30KDPBF	文件：477.95 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4PH30KDPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 20A 100W TO247AC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4PH30KDPBF_15	文件：477.95 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4PH30	文件：161.67 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=1200V,Vce(on)typ.=3.10V,@Vge=15V,Ic=10A) Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious g	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4PH30	文件：212.54 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=1200V,Vce(on)typ.=3.10V,@Vge=15V,Ic=10A) Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiency thanpreviousgenerations •IGBTco-packagedwithHE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4PH30K	文件：161.67 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=1200V,Vce(on)typ.=3.10V,@Vge=15V,Ic=10A) Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious g	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4PH30KD	文件：212.54 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=1200V,Vce(on)typ.=3.10V,@Vge=15V,Ic=10A) Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiency thanpreviousgenerations •IGBTco-packagedwithHE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4PH30KPBF	文件：354.86 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4PH30KPBF	文件：345.91 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORShortCircuitRatedUltrafastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious g	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司

产品属性

产品编号：
IRG4PH30KDPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
4.2V @ 15V，10A
开关能量：
950µJ（开），1.15mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
39ns/220ns
测试条件：
800V，10A，23 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AC
描述：
IGBT 1200V 20A 100W TO247AC

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