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IRG4PH30KD

1200V UltraFast 4-20 kHz Copack IGBT in a TO-247AC package

1200V IGBT 与超快4-20 kHz 软恢复二极管联合封装到 TO-247AC 封装中。 • 对电机控制的高短路额定值进行了优化,tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C, VGE = 15V\n• 低通态损耗与高开关速度相结合\n• 参数分布更紧凑,效率更高\n• 与 HEXFREDTM超快、超软恢复反并联二极管联合封装的 IGBT\n• 无铅\n\n优势:\n• IGBT 提供可行的高功率密度电机控制\n• HEXFREDTM 二极管经过与 IGBT 并用优化,将噪声、EMI 和开关损耗降低;

Infineon

英飞凌

IRG4PH30KDPBF

Package:TO-247-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1200V 20A 100W TO247AC

Infineon

英飞凌

IRG4PH30KPBF

Package:TO-247-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 1200V 20A 100W TO247AC

Infineon

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4PH30K

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    4.2V @ 15V,10A

  • 开关能量:

    640µJ(开),920µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    28ns/200ns

  • 测试条件:

    960V,10A,23 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 1200V 20A 100W TO247AC

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更多IRG4PH30K供应商 更新时间2025-12-11 15:45:00