IRG4PH30数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
IRG4PH30 |
| 参数属性 | IRG4PH30 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1200V 20A 100W TO247AC |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A) |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 18:28:00 |
| 人工找货 | IRG4PH30价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRG4PH30规格书详情
简介
IRG4PH30属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRG4PH30晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
IRG4PH30KD
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
4.2V @ 15V，10A
- 开关能量：
950µJ（开），1.15mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
39ns/220ns
- 测试条件：
800V，10A，23 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247AC
- 描述：
IGBT 1200V 20A 100W TO247AC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR/INFINEON |
18+ |
TO-247 |
527 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IR/INFINEON |
23+ |
TO-247 |
28000 |
原装正品 |
询价 | ||
IR |
12+ |
TO-247 |
1365 |
询价 | |||
IR |
24+ |
TO-247 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
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IR |
23+ |
TO-247 |
3832 |
原厂原装正品 |
询价 | ||
IR |
21+ |
TO-247 |
10000 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
IR |
21+ |
TO-247 |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税发票 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-247 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
IR |
22+ |
TO-247 |
5000 |
询价 | |||
IR |
25+23+ |
TO-247 |
28607 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
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