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IRG4PH30	文件：161.67 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A) Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious g	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PH30	文件：212.54 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A) Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiency thanpreviousgenerations •IGBTco-packagedwithHE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PH30	文件：300 bytes Page：1 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A);	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRG4PH30K	文件：161.67 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A) Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious g	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PH30KD	文件：212.54 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A) Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiency thanpreviousgenerations •IGBTco-packagedwithHE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PH30KD	文件：300 bytes Page：1 Pages	1200V UltraFast 4-20 kHz Copack IGBT in a TO-247AC package; • 对电机控制的高短路额定值进行了优化，tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C, VGE = 15V\n• 低通态损耗与高开关速度相结合\n• 参数分布更紧凑，效率更高\n• 与 HEXFREDTM超快、超软恢复反并联二极管联合封装的 IGBT\n• 无铅\n\n优势:\n• IGBT 提供可行的高功率密度电机控制\n• HEXFREDTM 二极管经过与 IGBT 并用优化，将噪声、EMI 和开关损耗降低\n; 1200V IGBT 与超快4-20 kHz 软恢复二极管联合封装到 TO-247AC 封装中。\n	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRG4PH30KDPBF	文件：468.82 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiency thanpreviousgenerations •IGBTco-packagedwithHE	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PH30KPBF	文件：345.91 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated Ultrafast IGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious g	IRF International Rectifier	IRF
IRG4PH30K	文件：300 bytes Page：1 Pages	1200V 超快 4-20 kHz 分立 IGBT，采用 TO-247AC 封装;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRG4PH30KDPBF	文件：477.95 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRF International Rectifier	IRF

技术参数

Technology ：
IGBT Gen 4
Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
Package ：
TO-247
Voltage Class max：
1200.0V
IC(@100°) max：
10.0A
IC(@25°) max：
20.0A
ICpuls max：
40.0A
Ptot max：
100.0W
VCE(sat) ：
3.1V
Eon ：
0.64mJ
Eoff(Hard Switching) ：
0.92mJ
td(on) ：
27.0ns
tr ：
26.0ns
td(off) ：
310.0ns
tf ：
330.0ns
QGate ：
94.0nC
Ets (max)：
1.56mJ (2.4mJ)
Switching Frequency ：
Gen 4 8-30 kHz
VCE max：
1200.0V

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