INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRF

1200V UltraFast 4-20 kHz Copack IGBT in a TO-247AC package

1200V IGBT 与超快4-20 kHz 软恢复二极管联合封装到 TO-247AC 封装中。 • 对电机控制的高短路额定值进行了优化，tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C, VGE = 15V\n• 低通态损耗与高开关速度相结合\n• 参数分布更紧凑，效率更高\n• 与 HEXFREDTM超快、超软恢复反并联二极管联合封装的 IGBT\n• 无铅\n\n优势:\n• IGBT 提供可行的高功率密度电机控制\n• HEXFREDTM 二极管经过与 IGBT 并用优化，将噪声、EMI 和开关损耗降低;

Infineon

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1200V 超快 4-20 kHz 分立 IGBT，采用 TO-247AC 封装

Infineon

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Package：TO-247-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 1200V 20A 100W TO247AC

Infineon

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Package：TO-247-3；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 1200V 20A 100W TO247AC

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Package：TO-247-3；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 1200V 20A 100W TO247AC

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