| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市金芯阳科技有限公司9年
留言
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IR原厂原装 |
3500 |
15+ |
进口原装现货假一赔十 |
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深圳市赛尔通科技有限公司14年
留言
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IRTO-247 |
65400 |
23+ |
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深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
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IRTO-247 |
1365 |
22+ |
只做原装进口 免费送样!! |
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深圳市浩睿泽电子科技有限公司2年
留言
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英飞凌N/A |
1500 |
新批次 |
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深圳市桐芯微电子有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-247 |
4800 |
22+ |
专营INFINEON/英飞凌全新原装进口正品 |
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深圳市永贝尔科技有限公司7年
留言
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IRFNA |
19960 |
23+ |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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IRTO |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
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IRTO |
6000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市华瑞顺电子科技有限公司6年
留言
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IRTO-247 |
12800 |
22+ |
本公司只做进口原装!优势低价出售! |
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深圳市能元时代电子有限公司7年
留言
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IR/INFINEONTO-247 |
12800 |
23+ |
##公司主营品牌长期供应100%原装现货可含税提供技术 |
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深圳市诺美思科技有限公司14年
留言
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IRTO-247 |
9800 |
22+/23+ |
原装进口公司现货假一赔百 |
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深圳市振芯物联科技有限公司5年
留言
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IR/INFINEONTO-247 |
32350 |
22+ |
原装正品 假一罚十 公司现货 |
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深圳市盈腾兴电子科技有限公司8年
留言
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IRTO-247 |
12800 |
21+ |
公司只做原装,诚信经营 |
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深圳市振鑫微电子科技有限公司4年
留言
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IRTO247 |
589610 |
23+ |
新到现货 原厂一手货源 价格秒杀代理! |
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深圳市华宇金电子有限公司1年
留言
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Infineon(英飞凌)TO-247AC-3 |
690000 |
24+ |
支持实单/只做原装 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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IRTO-247 |
1200 |
23+ |
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深圳市豪迈兴电子有限公司3年
留言
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Infineon/英飞凌TO-247(AC) |
32280 |
2339+ |
原装现货 假一罚十！十年信誉只做原装！ |
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深圳市勤思达科技有限公司11年
留言
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IRTO-247 |
11560 |
15+ |
全新原装,现货库存,长期供应 |
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深圳中芯器材有限公司11年
留言
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ir原厂封装 |
775 |
dc08 |
INSTOCK:25/tube |
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深圳兆威电子有限公司5年
留言
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InternationRectiferNA |
90000 |
20+ |
全新原装正品/库存充足 |
IRG4PH30采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IRG4PH30图片
IRG4PH30KDPBF价格
IRG4PH30KDPBF价格：￥12.3324品牌：INTERNATIONAL RECTIFIER
生产厂家品牌为INTERNATIONAL RECTIFIER的IRG4PH30KDPBF多少钱，想知道IRG4PH30KDPBF价格是多少？参考价：￥12.3324。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IRG4PH30KDPBF批发价格及采购报价，IRG4PH30KDPBF销售排行榜及行情走势，IRG4PH30KDPBF报价。
IRG4PH30KPBF中文资料Alldatasheet PDF
更多IRG4PH30制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.10V, @Vge=15V, Ic=10A)
IRG4PH30K功能描述:IGBT UFAST 1200V 20A TO-247AC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4PH30KD功能描述:IGBT W/DIODE 1200V 20A TO-247AC RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路 系列:- 标准包装:30 系列:GenX3™ IGBT 类型:PT 电压 - 集电极发射极击穿（最大）:1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）:3V @ 15V，100A 电流 - 集电极(Ic)（最大）:200A 功率 - 最大:830W 输入类型:标准 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-247-3 供应商设备封装:PLUS247?-3 包装:管件
IRG4PH30KDPBF功能描述:IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 4-20 KHZ COPACK IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
IRG4PH30KPBF功能描述:IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:2.3 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:150 A 栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作温度: 封装 / 箱体:TO-247 封装:Tube
