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IRG4PH40KD数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

IRG4PH40KD

参数属性

IRG4PH40KD 封装/外壳为TO-247-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 30A 160W TO247AC

功能描述

1200V 超快 4-20 kHz Copack IGBT,采用 TO-247AC 封装
IGBT 1200V 30A 160W TO247AC

封装外壳

TO-247-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 23:00:00

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IRG4PH40KD规格书详情

应用 Application

• 风扇
• 泵
• 太阳能
• 不间断电源(UPS)

简介

IRG4PH40KD属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRG4PH40KD晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IRG4PH40KD

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Technology 

    :IGBT Gen 4

  • Switching Frequency min max

    :8.0kHz 30.0kHz

  • Package 

    :TO-247

  • Voltage Class max

    :1200.0V

  • IC(@100°) max

    :15.0A

  • IC(@25°) max

    :30.0A

  • ICpuls max

    :60.0A

  • Ptot max

    :160.0W

  • VCE(sat) 

    :2.74V 

  • Eon 

    :1.31mJ 

  • Eoff(Hard Switching) 

    :1.12mJ 

  • td(on) 

    :50.0ns 

  • tr 

    :31.0ns 

  • td(off) 

    :96.0ns 

  • tf 

    :220.0ns 

  • QGate 

    :94.0nC 

  • IF max

    :130.0A

  • VF 

    :2.6V 

  • Qrr 

    :140.0nC 

  • Irrm 

    :4.5A 

  • Ets  (max)

    :2.43mJ (2.8mJ)

  • VCE max

    :1200.0V

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