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IRG4PH40KD	文件：217.59 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.47V, @Vge=15V, Ic=15A) Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations • IGBT co-packaged with HE 文件：217.59 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4PH40KD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	Fit Rate / Equivalent Device Hours 文件：98.39 Kbytes 页数：35 Pages	IRF	IRF
IRG4PH40KDPBF	文件：753.97 Kbytes Page：11 Pages	INSUALATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH YLTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations • IGBT co-packaged with HE 文件：753.97 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PH40KDPBF	文件：754.94 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：754.94 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PH40KDPBF_15	文件：754.94 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：754.94 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4PH40KD	文件：300 bytes Page：1 Pages	1200V 超快 4-20 kHz Copack IGBT，采用 TO-247AC 封装	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4PH40KDPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 30A 160W TO247AC	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Technology ：
IGBT Gen 4
Switching Frequency min max：
8.0kHz 30.0kHz
Package ：
TO-247
Voltage Class max：
1200.0V
IC(@100°) max：
15.0A
IC(@25°) max：
30.0A
ICpuls max：
60.0A
Ptot max：
160.0W
VCE(sat) ：
2.74V
Eon ：
1.31mJ
Eoff(Hard Switching) ：
1.12mJ
td(on) ：
50.0ns
tr ：
31.0ns
td(off) ：
96.0ns
tf ：
220.0ns
QGate ：
94.0nC
IF max：
130.0A
VF ：
2.6V
Qrr ：
140.0nC
Irrm ：
4.5A
Ets (max)：
2.43mJ (2.8mJ)
VCE max：
1200.0V

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