IRG4RC10中文资料INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A)数据手册Infineon规格书
| 厂商型号 |
IRG4RC10 |
| 参数属性 | IRG4RC10 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 9A 38W DPAK |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A) |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 20:00:00 |
| 人工找货 | IRG4RC10价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRG4RC10规格书详情
简介
IRG4RC10属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRG4RC10晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
IRG4RC10KD
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.62V @ 15V，5A
- 开关能量：
250µJ（开），140µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
49ns/97ns
- 测试条件：
480V，5A，100 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
D-Pak
- 描述：
IGBT 600V 9A 38W DPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR/VISHAY |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
IR |
21+ |
TO-252 |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
IR |
25+23+ |
TO-252 |
28697 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
IRG4RC10UDTRR |
4515 |
4515 |
询价 | ||||
IR |
24+ |
TO-252 |
2998 |
询价 | |||
IR |
20+ |
DPAK |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
IR |
17+ |
TO-252 |
6200 |
100%原装正品现货 |
询价 | ||
IR |
22+ |
SOT252 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
IR |
18+ |
TO-252 |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
IR |
TO-252 |
68500 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
询价 |
