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IRG4RC10	文件：190.21 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A) ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations	IRF International Rectifier	IRF
IRG4RC10	文件：120.87 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, IC=2.0A) Features •Extremelylowvoltagedrop;1.0Vtypicalat2A,100°C •Standard:Optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfrequencies(	IRF International Rectifier	IRF
IRG4RC10	文件：134.98 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A) Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovideshigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-252AApackage Benefits •Generation4IGBTsofferhig	IRF International Rectifier	IRF
IRG4RC10	文件：300 bytes Page：1 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A);	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRG4RC10K	文件：134.98 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A) Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovideshigherefficiencythanGeneration3 •IndustrystandardTO-252AApackage Benefits •Generation4IGBTsofferhig	IRF International Rectifier	IRF
IRG4RC10KD	文件：190.21 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A) ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol,tsc=10µs,@360VVCE(start),TJ=125°C,VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhighswitchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgenerations	IRF International Rectifier	IRF
IRG4RC10KDPBF	文件：326.33 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration	IRF International Rectifier	IRF
IRG4RC10KDTRPBF	文件：326.33 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •ShortCircuitRatedUltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies>5.0kHz,andShortCircuitRatedto10µs@125°C,VGE=15V •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration	IRF International Rectifier	IRF
IRG4RC10S	文件：120.87 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, IC=2.0A) Features •Extremelylowvoltagedrop;1.0Vtypicalat2A,100°C •Standard:Optimizedforminimumsaturation voltageandlowoperatingfrequencies(	IRF International Rectifier	IRF
IRG4RC10SD	文件：189.76 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A) Features •Extremelylowvoltagedrop1.1V(typ)@2A •S-Series:Minimizespowerdissipationatupto3 KHzPWMfrequencyininverterdrives,upto4 KHzinbrushlessDCdrives. •Tightparameterdistribution •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-soft-recoveryanti-	IRF International Rectifier	IRF

技术参数

电压 - 集射极击穿（最大值）：
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
9A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)：
18A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
2.62V @ 15V，5A
功率 - 最大值：
38W
开关能量：
160µJ（开），100µJ（关）
输入类型：
标准
栅极电荷：
19nC
25°C 时 Td（开/关）值：
11ns/51ns
测试条件：
480V，5A，100 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
D-Pak

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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