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IRG4RC10S	文件：120.87 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, IC=2.0A) Features • Extremely low voltage drop; 1.0V typical at 2A, 100°C • Standard: Optimized for minimum saturation voltage and low operating frequencies ( 文件：120.87 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4RC10SD	文件：189.76 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, Ic=2.0A) Features • Extremely low voltage drop 1.1V(typ) @ 2A • S-Series: Minimizes power dissipation at up to 3 KHz PWM frequency in inverter drives, up to 4 KHz in brushless DC drives. • Tight parameter distribution • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti- 文件：189.76 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4RC10SDPBF	文件：353.86 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Extremely low voltage drop 1.1V(typ) @ 2A • S-Series: Minimizes power dissipation at up to 3 KHz PWM frequency in inverter drives, up to 4 KHz in brushless DC drives. • Tight parameter distribution • IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft-recovery anti- 文件：353.86 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4RC10SDPBF	文件：353.86 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：353.86 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4RC10SDPBF_15	文件：353.86 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：353.86 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG4RC10S	文件：300 bytes Page：1 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, IC=2.0A)	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4RC10SD	文件：300 bytes Page：1 Pages	600V DC-1 kHz（标准）Copack IGBT，采用 D-Pak 封装	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4RC10SDPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 14A 38W DPAK	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4RC10SDTRLP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 14A 38W DPAK	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4RC10SDTRPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 14A 38W DPAK	Infineon 英飞凌	Infineon

技术参数

Technology ：
IGBT Gen 4
Switching Frequency min max：
1.0kHz 1.0kHz
Package ：
DPAK (TO-252)
Voltage Class max：
600.0V
IC(@100°) max：
8.0A
IC(@25°) max：
14.0A
ICpuls max：
18.0A
Ptot max：
38.0W
VCE(sat) ：
1.58V
Eon ：
0.31mJ
Eoff(Hard Switching) ：
3.28mJ
td(on) ：
76.0ns
tr ：
32.0ns
td(off) ：
815.0ns
tf ：
720.0ns
QGate ：
15.0nC
IF max：
16.0A
VF ：
1.5V
Qrr ：
40.0nC
Irrm ：
2.9A
Ets (max)：
3.6mJ (10.9mJ)
Moisture Sensitivity Level ：
1
VCE max：
600.0V

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更多IRG4RC10S供应商更新时间2025-12-24 14:00:00

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