IRG4RC10S数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
IRG4RC10S |
| 参数属性 | IRG4RC10S 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 14A 38W DPAK |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, IC=2.0A) |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 原厂标识 | Infineon |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-6 14:31:00 |
| 人工找货 | IRG4RC10S价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRG4RC10S规格书详情
简介
IRG4RC10S属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRG4RC10S晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号：
IRG4RC10SDPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
1.8V @ 15V，8A
- 开关能量：
310µJ（开），3.28mJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
76ns/815ns
- 测试条件：
480V，8A，100 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
D-Pak
- 描述：
IGBT 600V 14A 38W DPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
TO-252 |
2000 |
询价 | |||
IR |
1923+ |
TO-252 |
5000 |
正品原装品质假一赔十 |
询价 | ||
IR |
24+/25+ |
750 |
原装正品现货库存价优 |
询价 | |||
IR |
05+ |
原厂原装 |
2051 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 | ||
IR |
24+ |
N/A |
8000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
IR |
21+ |
SOT252 |
1062 |
只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询! |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-252 |
9000 |
只做原装，欢迎询价，量大价优 |
询价 | ||
IR |
22+ |
SOT252 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
Infineon |
24+ |
NA |
3380 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO252 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 |
