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IRG4RC10KPBF数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
IRG4RC10KPBF |
参数属性 | IRG4RC10KPBF 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 9A 38W DPAK |
功能描述 | IGBT 600V 9A 38W DPAK |
封装外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
原厂标识 | Infineon |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 12:30:00 |
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IRG4RC10KPBF规格书详情
简介
IRG4RC10KPBF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRG4RC10KPBF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
:IRG4RC10KPBF
- 生产厂家
:Infineon
- 电压 - 集射极击穿(最大值)
:600V
- 电流 - 集电极(Ic)(最大值)
:9A
- 脉冲电流 - 集电极 (Icm)
:18A
- 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
:2.62V @ 15V,5A
- 功率 - 最大值
:38W
- 开关能量
:160µJ(开),100µJ(关)
- 输入类型
:标准
- 栅极电荷
:19nC
- 25°C 时 Td(开/关)值
:11ns/51ns
- 测试条件
:480V,5A,100 欧姆,15V
- 工作温度
:-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型
:表面贴装
- 封装/外壳
:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 供应商器件封装
:D-Pak
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
SOT252 |
8560 |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
询价 | ||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
IR |
20+ |
DPAK |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
IR |
23+ |
SOT-252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-252 |
702 |
询价 | |||
IR |
2022+ |
TO-252 |
30000 |
进口原装现货供应,原装 假一罚十 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
DPak |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IR |
345 |
TO-252 |
3000 |
普通 |
询价 | ||
IR |
21+ |
SOT-252 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 |