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IRG4RC10KPBF数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

IRG4RC10KPBF

参数属性

IRG4RC10KPBF 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 9A 38W DPAK

功能描述

IGBT 600V 9A 38W DPAK

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 12:30:00

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IRG4RC10KPBF规格书详情

简介

IRG4RC10KPBF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRG4RC10KPBF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IRG4RC10KPBF

  • 生产厂家

    :Infineon

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    :600V

  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值)

    :9A

  • 脉冲电流 - 集电极 (Icm)

    :18A

  • 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)

    :2.62V @ 15V,5A

  • 功率 - 最大值

    :38W

  • 开关能量

    :160µJ(开),100µJ(关)

  • 输入类型

    :标准

  • 栅极电荷

    :19nC

  • 25°C 时 Td(开/关)值

    :11ns/51ns

  • 测试条件

    :480V,5A,100 欧姆,15V

  • 工作温度

    :-55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型

    :表面贴装

  • 封装/外壳

    :TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装

    :D-Pak

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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