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IRG4RC10UDPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

文件:308.4 Kbytes 页数:11 Pages

IRF

IRG4RC10UPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件:654.18 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRG4RC10UPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

文件:654.18 Kbytes 页数:10 Pages

IRF

IRG4RC10KDTRPBF

IGBT 模块 600V 8.500A

Infineon

英飞凌

IRG4RC10KPBF

IGBT 600V 9A 38W DPAK

Infineon

英飞凌

IRG4RC10KD

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 9A 38W DPAK

INFINEON

英飞凌

IRG4RC10KDPBF

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 9A 38W DPAK

INFINEON

英飞凌

IRG4RC10KDTRPBF

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 9A 38W DPAK

INFINEON

英飞凌

技术参数

  • 电压 - 集射极击穿(最大值):

    600V

  • 电流 - 集电极(Ic)(最大值):

    9A

  • 脉冲电流 - 集电极 (Icm):

    18A

  • 不同 Vge,Ic 时的 Vce(on):

    2.62V @ 15V,5A

  • 功率 - 最大值:

    38W

  • 开关能量:

    160µJ(开),100µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 栅极电荷:

    19nC

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    11ns/51ns

  • 测试条件:

    480V,5A,100 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    D-Pak

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
IR/VISHAY
25+
SOT-252
10000
原装现货假一罚十
询价
IR
22+
TO-252(DPAK)
6000
终端可免费供样,支持BOM配单
询价
IR
23+
TO-252
6000
专注配单,只做原装进口现货
询价
IR
23+
TO-252(DPAK)
7000
询价
IR
05+
原厂原装
2051
只做全新原装真实现货供应
询价
IR
24+/25+
750
原装正品现货库存价优
询价
IR
24+
TO-252
2998
询价
IR
1415+
TO-252(DPAK)
28500
全新原装正品,优势热卖
询价
IR
24+
原厂封装
182
原装现货假一罚十
询价
IR
17+
TO-252
6200
100%原装正品现货
询价
更多IRG4RC10供应商 更新时间2026-1-26 10:11:00