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IRG4RC10UPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies (8-40 kHz in hard swiching, > 200 kHz in resonant mode) • Generation 4 IGBT design provides tigher parameter distribution and higher efficiency than previous generation • Industry standard TO-252AA package • Lead-Free Benefits

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IRG4RC10UPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRG4RC10UPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRG4RC10UPBF

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 8.5A 38W DPAK

INFINEON

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4RC10UPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.6V @ 15V,5A

  • 开关能量:

    80µJ(开),160µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    19ns/116ns

  • 测试条件:

    480V,5A,100 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    D-Pak

  • 描述:

    IGBT 600V 8.5A 38W DPAK

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IRG4RC10UPBF供应商 更新时间2026-1-30 17:36:00