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| 型号 | 下载 订购 | 功能描述 | 制造商 上传企业 | LOGO |
|---|---|---|---|---|
IRG4RC10UPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies (8-40 kHz in hard swiching, > 200 kHz in resonant mode) • Generation 4 IGBT design provides tigher parameter distribution and higher efficiency than previous generation • Industry standard TO-252AA package • Lead-Free Benefits 文件:654.18 Kbytes 页数:10 Pages | IRF | IRF | |
IRG4RC10UPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件:654.18 Kbytes 页数:10 Pages | IRF | IRF | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR 文件:654.18 Kbytes 页数:10 Pages | IRF | IRF | ||
IRG4RC10UPBF | Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 8.5A 38W DPAK | INFINEON 英飞凌 | INFINEON |
产品属性
- 产品编号:
IRG4RC10UPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.6V @ 15V,5A
- 开关能量:
80µJ(开),160µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
19ns/116ns
- 测试条件:
480V,5A,100 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
- 供应商器件封装:
D-Pak
- 描述:
IGBT 600V 8.5A 38W DPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2450+ |
TO-252 |
9850 |
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询价 | ||
IR |
23+ |
TO-252 |
8650 |
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IR |
25+23+ |
TO-252 |
28697 |
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询价 | ||
IR |
20+ |
DPAK |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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International Rectifier |
2022+ |
1 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
IR |
25+ |
TO-252 |
30000 |
全新原装现货,价格优势 |
询价 | ||
INFINEON |
25+ |
TO-252 |
3000 |
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Infineon |
22+ |
NA |
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IR |
23+ |
TO-252 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
IR |
25+ |
TO-252 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 |
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