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|---|---|---|---|---|
IRG7PH30K10DPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (ON) Trench IGBT Technology • Low switching losses • 10 µS short circuit SOA • Square RBSOA • 100 of the parts tested for ILM • Positive VCE (ON) Temperature co-efficient • Ultra fast soft Recovery Co-Pak Diode • Tight parameter distribution • Lead Free Package Benefit 文件：442.4 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | |
IRG7PH30K10DPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：442.4 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE 文件：442.4 Kbytes 页数：10 Pages | IRF | IRF | ||
IRG7PH30K10DPBF | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE | Infineon 英飞凌 | Infineon | |
IRG7PH30K10DPBF | Package：TO-247-3；包装：管件 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 1200V 30A 180W TO247AC | INFINEON 英飞凌 | INFINEON |
产品属性
- 产品编号：
IRG7PH30K10DPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.35V @ 15V，9A
- 开关能量：
530µJ（开），380µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
14ns/110ns
- 测试条件：
600V，9A，22 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247AC
- 描述：
IGBT 1200V 30A 180W TO247AC
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
2016+ |
TO-247 |
4850 |
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票! |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO247 |
5000 |
只做原装公司现货 |
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VISHAY |
24+ |
TO-247 |
12000 |
VISHAY专营进口原装现货假一赔十 |
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International Rectifier |
2022+ |
1 |
全新原装 货期两周 |
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IR |
25+ |
TO-247 |
12500 |
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IR |
24+ |
TO-247 |
65200 |
一级代理/放心采购 |
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IR |
25+ |
TO-247 |
25 |
优势 |
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Infineon |
1931+ |
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25+ |
TO-247 |
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IR |
1923+ |
TO-247 |
8900 |
公司原装现货特价长期供货欢迎来电咨询 |
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