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IRG4RC10SDPBF	文件：353.86 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •Extremelylowvoltagedrop1.1V(typ)@2A •S-Series:Minimizespowerdissipationatupto3 KHzPWMfrequencyininverterdrives,upto4 KHzinbrushlessDCdrives. •Tightparameterdistribution •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ultra-soft-recoveryanti-	IRF International Rectifier	IRF
IRG4RC10U	文件：131.31 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A) Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies(8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode) •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration •IndustrystandardTO-252AApackage Benefits •Generation	IRF International Rectifier	IRF
IRG4RC10UD	文件：191.19 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A) UltraFastCoPackIGBT Features •UltraFast:Optimizedformediumoperatingfrequencies(8-40kHzinhardswitching,>200kHzinresonantmode). •Generation4IGBTdesignprovidestighterparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMu	IRF International Rectifier	IRF
IRG4RC10UDPBF	文件：308.4 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies(8-40kHzinhardswiching,>200kHzinresonantmode) •Generation4IGBTdesignprovidestigherparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration •IGBTco-packagedwithHEXFRED™ultrafast,ultra-soft-recovery	IRF International Rectifier	IRF
IRG4RC10UPBF	文件：654.18 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies(8-40kHzinhardswiching,>200kHzinresonantmode) •Generation4IGBTdesignprovidestigherparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration •IndustrystandardTO-252AApackage •Lead-Free Benefits	IRF International Rectifier	IRF
IRG4RC10UTRPBF	文件：654.18 Kbytes Page：10 Pages	Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher effciency than previous generation Features •UltraFast:Optimizedforhighoperatingfrequencies(8-40kHzinhardswiching,>200kHzinresonantmode) •Generation4IGBTdesignprovidestigherparameterdistributionandhigherefficiencythanpreviousgeneration •IndustrystandardTO-252AApackage •Lead-Free Benefits	IRF International Rectifier	IRF
IRG4RC10KDTRPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT 模块 600V 8.500A;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRG4RC10KPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT 600V 9A 38W DPAK;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IRG4RC10KPBF	文件：188.38 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated UltraFast IGBT	IRF International Rectifier	IRF
IRG4RC10SDPBF	文件：353.86 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRF International Rectifier	IRF

技术参数

电压 - 集射极击穿（最大值）：
600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值）：
9A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)：
18A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）：
2.62V @ 15V，5A
功率 - 最大值：
38W
开关能量：
160µJ（开），100µJ（关）
输入类型：
标准
栅极电荷：
19nC
25°C 时 Td（开/关）值：
11ns/51ns
测试条件：
480V，5A，100 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
D-Pak

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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