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IRG4RC10UDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies (8-40 kHz in hard swiching, > 200 kHz in resonant mode) • Generation 4 IGBT design provides tigher parameter distribution and higher efficiency than previous generation • IGBT co-packaged with HEXFRED™ ultrafast, ultra-soft-recovery

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IRF

IRG4RC10UDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRG4RC10UDPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRF

IRG4RC10UDPBF

Package:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 8.5A 38W DPAK

INFINEON

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4RC10UDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.6V @ 15V,5A

  • 开关能量:

    140µJ(开),120µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    40ns/87ns

  • 测试条件:

    480V,5A,100 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

  • 供应商器件封装:

    D-Pak

  • 描述:

    IGBT 600V 8.5A 38W DPAK

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Infineon
24+
NA
3530
进口原装正品优势供应
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IR
20+
DPAK
36900
原装优势主营型号-可开原型号增税票
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International Rectifier
2022+
1
全新原装 货期两周
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Infineon
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N/A
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INFINEON/英飞凌
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NA
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IR
25+
SOT-252
10000
原装现货假一罚十
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Infineon Technologies
22+
DPak
9000
原厂渠道,现货配单
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Infineon Technologies
24+
原装
5000
原装正品,提供BOM配单服务
询价
更多IRG4RC10UDPBF供应商 更新时间2026-2-3 14:16:00