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IRG4RC10K	文件：134.98 Kbytes Page：8 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A) Features • Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit Rated to 10µs @ 125°C, VGE = 15V • Generation 4 IGBT design provides higher efficiency than Generation 3 • Industry standard TO-252AA package Benefits • Generation 4 IGBTs offer hig 文件：134.98 Kbytes 页数：8 Pages	IRF	IRF
IRG4RC10KD	文件：190.21 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A) Short Circuit Rated UltraFast IGBT Features • High short circuit rating optimized for motor control, tsc =10µs, @360V VCE (start), TJ = 125°C, VGE = 15V • Combines low conduction losses with high switching speed • Tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generations 文件：190.21 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4RC10KDPBF	文件：326.33 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Short Circuit Rated UltraFast IGBT Features • Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit Rated to 10µs @ 125°C, VGE = 15V • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generation 文件：326.33 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRG4RC10KDTRPBF	文件：326.33 Kbytes Page：12 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Short Circuit Rated UltraFast IGBT Features • Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit Rated to 10µs @ 125°C, VGE = 15V • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generation 文件：326.33 Kbytes 页数：12 Pages	IRF	IRF
IRG4RC10KPBF	文件：188.38 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated UltraFast IGBT 文件：188.38 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG4RC10K	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 9A 38W DPAK	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4RC10KDPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4RC10KDTRPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT 模块 600V 8.500A	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4RC10KPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	IGBT 600V 9A 38W DPAK	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG4RC10KDPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 9A 38W DPAK	Infineon 英飞凌	Infineon

产品属性

产品编号：
IRG4RC10K
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.62V @ 15V，5A
开关能量：
160µJ（开），100µJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
11ns/51ns
测试条件：
480V，5A，100 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装：
D-Pak
描述：
IGBT 600V 9A 38W DPAK

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