IRG4RC20F数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
IRG4RC20F |
参数属性 | IRG4RC20F 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 22A 66W DPAK |
功能描述 | 600V Fast 1-8 kHz Single IGBT in a D-Pak package |
封装外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
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IRG4RC20F规格书详情
简介
IRG4RC20F属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRG4RC20F晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
:IRG4RC20F
- 生产厂家
:Infineon
- Technology
:IGBT Gen 4
- Switching Frequency min max
:8.0kHz 30.0kHz
- Package
:DPAK (TO-252)
- Voltage Class max
:600.0V
- IC(@100°) max
:12.0A
- IC(@25°) max
:22.0A
- ICpuls max
:44.0A
- Ptot max
:66.0W
- VCE(sat)
:1.82V
- Eon
:0.19mJ
- Eoff(Hard Switching)
:0.92mJ
- td(on)
:25.0ns
- tr
:26.0ns
- td(off)
:263.0ns
- tf
:443.0ns
- QGate
:157.0nC
- Ets (max)
:1.11mJ (1.4mJ)
- Moisture Sensitivity Level
:1
- Switching Frequency
:Gen 4 8-30 kHz
- VCE max
:600.0V
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
200 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
IR |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
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IR |
20+ |
DPAK |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
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IR |
20+ |
SOT252 |
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一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
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IR |
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专业电子元器件供应链正迈科技特价代理特价,原装元器件供应,支持开发样品 |
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IR |
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TO-252 |
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IR |
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4500 |
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Infineon Technologies |
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D-Pak |
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IR |
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TO252 |
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IR |
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TO-252 |
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