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IRG4RC20F数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

IRG4RC20F

参数属性

IRG4RC20F 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 22A 66W DPAK

功能描述

600V Fast 1-8 kHz Single IGBT in a D-Pak package
IGBT 600V 22A 66W DPAK

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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IRG4RC20F规格书详情

简介

IRG4RC20F属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRG4RC20F晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IRG4RC20F

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Technology 

    :IGBT Gen 4

  • Switching Frequency min max

    :8.0kHz 30.0kHz

  • Package 

    :DPAK (TO-252)

  • Voltage Class max

    :600.0V

  • IC(@100°) max

    :12.0A

  • IC(@25°) max

    :22.0A

  • ICpuls max

    :44.0A

  • Ptot max

    :66.0W

  • VCE(sat) 

    :1.82V 

  • Eon 

    :0.19mJ 

  • Eoff(Hard Switching) 

    :0.92mJ 

  • td(on) 

    :25.0ns 

  • tr 

    :26.0ns 

  • td(off) 

    :263.0ns 

  • tf 

    :443.0ns 

  • QGate 

    :157.0nC 

  • Ets  (max)

    :1.11mJ (1.4mJ)

  • Moisture Sensitivity Level 

    :1

  • Switching Frequency 

    :Gen 4 8-30 kHz

  • VCE max

    :600.0V

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