IRG4RC10U数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
IRG4RC10U |
参数属性 | IRG4RC10U 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 8.5A 38W DPAK |
功能描述 | 600V UltraFast 8-60 kHz Discrete IGBT in a D-Pak package |
封装外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-6 17:06:00 |
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IRG4RC10U规格书详情
应用 Application
·Air Conditioner
·Dishwasher
·Dryer
·Fan
·Pump
·Refridgeration
·Washing Machine
简介
IRG4RC10U属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRG4RC10U晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
:IRG4RC10U
- 生产厂家
:Infineon
- Technology
:IGBT Gen 4
- Switching Frequency max
:1.0kHz
- Package
:DPAK (TO-252)
- Voltage Class max
:600.0V
- IC(@100°) max
:5.0A
- IC(@25°) max
:8.5A
- ICpuls max
:34.0A
- Ptot max
:38.0W
- VCE(sat)
:2.15V
- Eon
:0.08mJ
- Eoff(Hard Switching)
:0.16mJ
- td(on)
:18.0ns
- tr
:14.0ns
- td(off)
:180.0ns
- tf
:150.0ns
- QGate
:27.0nC
- Ets (max)
:0.24mJ (0.36mJ)
- Moisture Sensitivity Level
:1
- Switching Frequency
:Gen 4 1 kHz
- VCE max
:600.0V
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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IR |
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TO-252 |
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