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IRG8P50N120KDPBF中文资料Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode数据手册Infineon规格书

厂商型号 |
IRG8P50N120KDPBF |
参数属性 | IRG8P50N120KDPBF 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 80A 305W TO-247AC |
功能描述 | Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode |
封装外壳 | TO-247-3 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-23 16:12:00 |
人工找货 | IRG8P50N120KDPBF价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
IRG8P50N120KDPBF规格书详情
简介
IRG8P50N120KDPBF属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRG8P50N120KDPBF晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 产品编号:
IRG8P50N120KDPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2V @ 15V,35A
- 开关能量:
2.3mJ(开),1.9mJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
35ns/190ns
- 测试条件:
600V,35A,5 欧姆,15V
- 工作温度:
-40°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247AC
- 描述:
IGBT 1200V 80A 305W TO-247AC
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
2407+ |
NA |
10750 |
只有原装!量大可以订!一片起卖! |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
n/a |
25836 |
新到现货,只做原装进口 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
TO247AC |
9000 |
原装正品,支持实单 |
询价 | ||
Infineon |
2022+ |
原厂原包装 |
6800 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
TO-247AC |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
IR |
1923+ |
MSOP12 |
9865 |
原装进口现货库存专业工厂研究所配单供货 |
询价 | ||
Infineon |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
IR |
23+ |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
24+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
64000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 |