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IRGB20B60PD1数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

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厂商型号

IRGB20B60PD1

参数属性

IRGB20B60PD1 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 40A 215W TO220AB

功能描述

600V Warp2 150kHz Copack IGBT in a TO-247AC package
IGBT 600V 40A 215W TO220AB

封装外壳

TO-220-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 23:00:00

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IRGB20B60PD1规格书详情

描述 Description

600V Warp2 IGBT 与超快 150kHz 软恢复二极管联合封装到TO-247AC 封装中。
 

特性 Features

• NPT 技术,正温度系数

• VCE(SAT)更低

• 寄生电容更低

• 最小尾电流

• HEXFRED 超快软恢复联合封装二极管

• 参数分布更紧凑

• 可靠性更高

优势:
• 适用于更高电流应用中的并联工作
• 通态损耗和开关损耗更低
• 开关频率更高,高达 150kHz

应用 Application

• 家用空调
• 风扇
• PFC
• 驱动器和泵
• 洗衣机

简介

IRGB20B60PD1属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRGB20B60PD1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IRGB20B60PD1

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Technology 

    :IGBT Gen 5

  • Switching Frequency min max

    :30.0kHz 150.0kHz

  • Package 

    :TO-220

  • Voltage Class max

    :600.0V

  • IC(@100°) max

    :22.0A

  • IC(@25°) max

    :40.0A

  • ICpuls max

    :80.0A

  • Ptot max

    :215.0W

  • VCE(sat) 

    :2.5V 

  • Eon 

    :0.95mJ 

  • Eoff(Hard Switching) 

    :0.1mJ 

  • td(on) 

    :20.0ns 

  • tr 

    :5.0ns 

  • td(off) 

    :115.0ns 

  • tf 

    :6.0ns 

  • QGate 

    :68.0nC 

  • IF max

    :16.0A

  • VF 

    :1.5V 

  • Qrr 

    :40.0nC 

  • Irrm 

    :2.9A 

  • Ets  (max)

    :0.195mJ (0.285mJ)

  • VCE max

    :600.0V

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