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IRGB20B60PD1数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

厂商型号 |
IRGB20B60PD1 |
参数属性 | IRGB20B60PD1 封装/外壳为TO-220-3;包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 600V 40A 215W TO220AB |
功能描述 | 600V Warp2 150kHz Copack IGBT in a TO-247AC package |
封装外壳 | TO-220-3 |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
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IRGB20B60PD1规格书详情
描述 Description
600V Warp2 IGBT 与超快 150kHz 软恢复二极管联合封装到TO-247AC 封装中。
特性 Features
• NPT 技术,正温度系数
• VCE(SAT)更低
• 寄生电容更低
• 最小尾电流
• HEXFRED 超快软恢复联合封装二极管
• 参数分布更紧凑
• 可靠性更高
优势:
• 适用于更高电流应用中的并联工作
• 通态损耗和开关损耗更低
• 开关频率更高,高达 150kHz
应用 Application
• 家用空调
• 风扇
• PFC
• 驱动器和泵
• 洗衣机
简介
IRGB20B60PD1属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRGB20B60PD1晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
:IRGB20B60PD1
- 生产厂家
:Infineon
- Technology
:IGBT Gen 5
- Switching Frequency min max
:30.0kHz 150.0kHz
- Package
:TO-220
- Voltage Class max
:600.0V
- IC(@100°) max
:22.0A
- IC(@25°) max
:40.0A
- ICpuls max
:80.0A
- Ptot max
:215.0W
- VCE(sat)
:2.5V
- Eon
:0.95mJ
- Eoff(Hard Switching)
:0.1mJ
- td(on)
:20.0ns
- tr
:5.0ns
- td(off)
:115.0ns
- tf
:6.0ns
- QGate
:68.0nC
- IF max
:16.0A
- VF
:1.5V
- Qrr
:40.0nC
- Irrm
:2.9A
- Ets (max)
:0.195mJ (0.285mJ)
- VCE max
:600.0V
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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