IRGB4060D数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF
| 厂商型号 |
IRGB4060D |
| 参数属性 | IRGB4060D 封装/外壳为TO-220-3；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 600V 16A 99W TO220AB |
| 功能描述 | 600V UltraFast Copack Trench IGBT in a TO-220AB package |
| 封装外壳 | TO-220-3 |
| 制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
| 中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
| 人工找货 | IRGB4060D价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRGB4060D规格书详情
描述 Description
600V 沟槽栅 IGBT 与超快、超软恢复二极管联合封装到 TO-220AB 封装中。
特性 Features
• 低 VCE (on) 沟槽栅 IGBT 技术
• 低开关损耗
• 最高结温为 175 °C
• 5µs SCSOA
• 方形 RBSOA
• 所有部件都接受过4倍的额定电流耐受测试 (ILM)
• 正 VCE(on) 温度系数
• 超快软恢复联合封装二极管
• 参数分布更紧凑
• 无铅
优势:
• 在广泛的应用领域都能发挥高效率
• 由于 VCE (ON) 低且开关损耗低，所以适合在众多开关频率应用中使用
• 强健的瞬态性能提升可靠性
• 并联工作时电流共享表现出色
• 低 EMI
应用 Application
• 家用电器
• 风扇
• 照明氙气灯
• 驱动器和泵
• 太阳能
简介
IRGB4060D属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IRGB4060D晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。
技术参数
更多- 制造商编号
：IRGB4060D
- 生产厂家
：Infineon
- Technology
：IGBT Gen 6.2
- Switching Frequency min max
：8.0kHz 30.0kHz
- Package
：TO-220
- Voltage Class max
：600.0V
- IC(@100°) max
：8.0A
- IC(@25°) max
：16.0A
- ICpuls max
：32.0A
- Ptot max
：99.0W
- VCE(sat)
：1.55V
- Eon
：0.07mJ
- Eoff(Hard Switching)
：0.145mJ
- td(on)
：30.0ns
- tr
：15.0ns
- td(off)
：95.0ns
- tf
：20.0ns
- QGate
：19.0nC
- IF max
：32.0A
- VF
：1.8V
- Irrm
：14.0A
- Ets (max)
：0.215mJ (0.31mJ)
- VCE max
：600.0V
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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