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IRGB4086PBF	文件：323.08 Kbytes Page：9 Pages	PDD TRENCH IGBT Features ◾AdvancedTrenchIGBTTechnology ◾OptimizedforSustainandEnergyRecoveryCircuitsinPDPApplications ◾LowVCE(on)andEnergyperPulse(EPULSETM)forImprovedPanelEfficiency ◾HighRepetitivePeakCurrentCapability ◾LeadFreePackage	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司	IRF
IRGB4086PBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：TO-220-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 300V 70A 160W TO220AB	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
4086AWG	文件：1.16464 Mbytes Page：2 Pages	Arbitrary/FunctionGenerators	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc2未分类制造商	etc2
AC4086	文件：190.29 Kbytes Page：2 Pages	TO-8CASCADABLEAMPLIFIER	TELEDYNE TELEDYNE	TELEDYNE
AC4086	文件：113.1 Kbytes Page：2 Pages	800TO4000MHzTO-8CASCADABLEAMPLIFIER	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
AN4086	文件：1.42988 Mbytes Page：11 Pages	BuckvoltageregulatorusingthePM8903	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团	STMICROELECTRONICS
CD4086	文件：539.57 Kbytes Page：12 Pages	CMOSEXPANDABLE4-WIDE2-INPUTAND-OR-INVERTGATE	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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CD4086BE	文件：539.57 Kbytes Page：12 Pages	CMOSEXPANDABLE4-WIDE2-INPUTAND-OR-INVERTGATE	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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CD4086B-MIL	文件：828.89 Kbytes Page：13 Pages	CMOSExpandable4-Wide2-InputAND-OR-INVERTGate	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
CD4086BMS	文件：85.83 Kbytes Page：9 Pages	CMOSExpandable4-Wide2-InputAND-OR-INVERTGate	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
CD4086BMT	文件：539.57 Kbytes Page：12 Pages	CMOSEXPANDABLE4-WIDE2-INPUTAND-OR-INVERTGATE	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
CD4086BMT	文件：828.89 Kbytes Page：13 Pages	CMOSExpandable4-Wide2-InputAND-OR-INVERTGate	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)	TI1
CD4086BNSR	文件：539.57 Kbytes Page：12 Pages	CMOSEXPANDABLE4-WIDE2-INPUTAND-OR-INVERTGATE	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
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CD4086BPWR	文件：539.57 Kbytes Page：12 Pages	CMOSEXPANDABLE4-WIDE2-INPUTAND-OR-INVERTGATE	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI

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产品属性

产品编号：
IRGB4086PBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
IGBT 类型：
沟道
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.96V @ 15V，120A
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
36ns/112ns
测试条件：
196V，25A，10 欧姆
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3
供应商器件封装：
TO-220AB
描述：
IGBT 300V 70A 160W TO220AB

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更多IRGB4086PBF供应商更新时间2024-4-30 16:12:00

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