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IRG7PH35UD1MPBF分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IRG7PH35UD1MPBF |
| 参数属性 | IRG7PH35UD1MPBF 封装/外壳为TO-247-3；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1200V 50A 179W TO247AD |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE |
| 封装外壳 | TO-247-3 |
| 文件大小 |
295.88 Kbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | IRF |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-2 23:00:00 |
| 人工找货 | IRG7PH35UD1MPBF价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IRG7PH35UD1MPBF规格书详情
特性 Features
• Low VCE (ON) trench IGBT Technology
• Low Switching Losses
• Square RBSOA
• Ultra-Low VFDiode
• 1300Vpk Repetitive Transient Capacity
• 100 of the Parts Tested for ILM
• Positive VCE (ON) Temperature Co-Efficient
• Tight Parameter Distribution
• Lead Free Package
Benefits
• Device optimized for induction heating and soft switching
applications
• High Efficiency due to Low VCE(on), low switching losses
and Ultra-low VF
• Rugged transient performance for increased reliability
• Excellent current sharing in parallel operation
• Low EMI
产品属性
- 产品编号：
IRG7PH35UD1MPBF
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.2V @ 15V，20A
- 开关能量：
620µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
-/160ns
- 测试条件：
600V，20A，10 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-247-3
- 供应商器件封装：
TO-247AD
- 描述：
IGBT 1200V 50A 179W TO247AD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
3800 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
INFINEON/IR |
2023+ |
TO-247 |
1640 |
一级代理优势现货,全新正品直营店 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2410+ |
SOP |
9000 |
十年芯路!只做原装!一直起卖! |
询价 | ||
IR |
24+ |
TO-247 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
2022+ |
TO-247AD |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
INFINEON |
10 |
询价 | |||||
INFINEON |
24+ |
con |
10 |
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格 |
询价 | ||
Infineon |
24+ |
NA |
3576 |
进口原装正品优势供应 |
询价 | ||
IR |
13+ |
TO-247 |
50 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
IR |
23+ |
TO-247 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 |
