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IRG7PH35UD1MPBF分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料

厂商型号 |
IRG7PH35UD1MPBF |
参数属性 | IRG7PH35UD1MPBF 封装/外壳为TO-247-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单;产品描述:IGBT 1200V 50A 179W TO247AD |
功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE |
封装外壳 | TO-247-3 |
文件大小 |
295.88 Kbytes |
页面数量 |
9 页 |
生产厂商 | International Rectifier |
企业简称 |
IRF |
中文名称 | International Rectifier官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-7-3 11:10:00 |
人工找货 | IRG7PH35UD1MPBF价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
IRG7PH35UD1MPBF规格书详情
Features
• Low VCE (ON) trench IGBT Technology
• Low Switching Losses
• Square RBSOA
• Ultra-Low VFDiode
• 1300Vpk Repetitive Transient Capacity
• 100 of the Parts Tested for ILM
• Positive VCE (ON) Temperature Co-Efficient
• Tight Parameter Distribution
• Lead Free Package
Benefits
• Device optimized for induction heating and soft switching
applications
• High Efficiency due to Low VCE(on), low switching losses
and Ultra-low VF
• Rugged transient performance for increased reliability
• Excellent current sharing in parallel operation
• Low EMI
产品属性
- 产品编号:
IRG7PH35UD1MPBF
- 制造商:
Infineon Technologies
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装:
管件
- IGBT 类型:
沟道
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):
2.2V @ 15V,20A
- 开关能量:
620µJ(关)
- 输入类型:
标准
- 25°C 时 Td(开/关)值:
-/160ns
- 测试条件:
600V,20A,10 欧姆,15V
- 工作温度:
-55°C ~ 150°C(TJ)
- 安装类型:
通孔
- 封装/外壳:
TO-247-3
- 供应商器件封装:
TO-247AD
- 描述:
IGBT 1200V 50A 179W TO247AD
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
23+ |
TO-247 |
10000 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | ||
24+ |
N/A |
73000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
询价 | |||
IR |
23+ |
TO-247 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
INFINEON/IR |
2023+ |
TO-247 |
1640 |
一级代理优势现货,全新正品直营店 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
22+ |
TO247AD |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
IR |
22+23+ |
TO-247 |
8000 |
新到现货,只做原装进口 |
询价 | ||
Infineon |
1931+ |
N/A |
493 |
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询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2410+ |
SOP |
9000 |
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询价 | ||
Infineon |
22+ |
NA |
493 |
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Infineon |
24+ |
NA |
3576 |
进口原装正品优势供应 |
询价 |