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IRG7RC10FDPBF	文件：332.3 Kbytes Page：11 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • Low VCE (on) • Zero VCE(on) temperature coefficient • 3us Short Circuit Capability • Ultra Fast Soft Recovery Co-pak Diode • Square RBSOA Benefits • Benchmark Efficiency for Motor Control Applications • Rugged Transient Performance • Low EMI Applications • Air Conditioner Com 文件：332.3 Kbytes 页数：11 Pages	IRF	IRF
IRG7RC10FDPBF	文件：300 bytes Page：1 Pages	\u0002\u0003\u0004\u0005\u0006\u0007\bINSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	Infineon 英飞凌	Infineon
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