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IRG7PH46U-EP	文件：388.69 Kbytes Page：10 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • Low VCE (ON) trench IGBT technology • Low switching losses • Maximum junction temperature 175 °C • Square RBSOA • 100 of the parts tested for ILM • Positive VCE (ON) temperature co-efficient • Tight parameter distribution • Lead -Free Benefits • High efficiency in a wide range 文件：388.69 Kbytes 页数：10 Pages	IRF	IRF
IRG7PH46U-EP	文件：300 bytes Page：1 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	Infineon 英飞凌	Infineon
IRG7PH46U-EP	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-247-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH 1200V 130A TO247AD	INFINEON 英飞凌	INFINEON
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产品属性

产品编号：
IRG7PH46U-EP
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
散装
IGBT 类型：
沟道
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2V @ 15V，40A
开关能量：
2.56mJ（开），1.78mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
45ns/410ns
测试条件：
600V，40A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AD
描述：
IGBT TRENCH 1200V 130A TO247AD

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