IRG4RC20F中文资料PDF规格书
| 厂商型号 |
IRG4RC20F |
| 参数属性 | IRG4RC20F 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为管件；类别为分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单；产品描述：IGBT 600V 22A 66W DPAK |
| 功能描述 | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.82V, @Vge=15V, Ic=12A) |
| 文件大小 |
264.06 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | International Rectifier |
| 企业简称 |
IRF【英飞凌】 |
| 中文名称 | 英飞凌科技公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2024-6-19 13:30:00 |
IRG4RC20F规格书详情
Fast Speed IGBT
Features
• Fast: Optimized for medium operating frequencies (1-5 kHz in hard switching, >20 kHz in resonant mode).
• Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than previous generation IGBTs.
• Industry standard TO-252AA package
• Combines very low VCE(on) with low switching losses
Benefits
• Generation 4 IGBTs offer highest efficiency
• Optimized for specific application conditions
• High power density and current rating
产品属性
- 产品编号：
IRG4RC20F
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.1V @ 15V，12A
- 开关能量：
190µJ（开），920µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
26ns/194ns
- 测试条件：
480V，12A，50 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
D-Pak
- 描述：
IGBT 600V 22A 66W DPAK
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
16+ |
原厂封装 |
195 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
IR |
2023+ |
D-PAK |
80000 |
一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品 |
询价 | ||
IR |
2020+ |
TO252 |
15000 |
原装正品现货 |
询价 | ||
IR |
21+ |
TO-252 |
50000 |
终端可免费提供样品,欢迎咨询 |
询价 | ||
Infineon Technologies |
23+ |
原装 |
5000 |
原装正品,提供BOM配单服务 |
询价 | ||
IR |
2020+ |
SOT-252 |
350000 |
100%进口原装正品公司现货库存 |
询价 | ||
IR |
2019 |
TO252 |
55000 |
原装正品现货可开13点税 |
询价 | ||
IR |
2022+ |
TO252 |
57550 |
询价 | |||
IR |
20+ |
DPAK |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
IR |
2018+ |
TO252 |
6528 |
只做原装正品假一赔十!只要网上有上百分百有库存放心 |
询价 |
