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IRG4PF50WPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

VCES = 900V VCE(on) typ. = 2.25V @VGE = 15V, IC = 28A Benefits • Lower switching losses allow more cost-effective operation and hence efficient replacement of larger die MOSFETs up to 100kHz • Of particular benefit in single-ended converters and Power Supplies 150W and higher • Reduction in

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IRG4PF50WPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRG4PF50WPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRF

IRG4PF50WPBF

Package:TO-247-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 900V 51A 200W TO247AC

Infineon

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4PF50WPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.7V @ 15V,28A

  • 开关能量:

    190µJ(开),1.06mJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    29ns/110ns

  • 测试条件:

    720V,28A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 900V 51A 200W TO247AC

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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24+
TO-247
20540
保证进口原装现货假一赔十
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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全新原装正品 现货库存 价格优势
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更多IRG4PF50WPBF供应商 更新时间2025-10-16 17:13:00