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IRG4PC50UDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

VCES = 600V VCE(on) typ. = 1.65V @VGE = 15V, IC = 27A Features • UltraFast: Optimized for high operating frequencies 8-40 kHz in hard switching, >200 kHz in resonant mode • Generation 4 IGBT design provides tighter parameter distribution and higher efficiency than Generation 3 • IGBT co-pack

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IRF

IRG4PC50UDPBF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRG4PC50UDPBF_15

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRF

IRG4PC50UDPBF

Package:TO-247-3;包装:管件 类别:分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述:IGBT 600V 55A 200W TO247AC

Infineon

英飞凌

产品属性

  • 产品编号:

    IRG4PC50UDPBF

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2V @ 15V,27A

  • 开关能量:

    990µJ(开),590µJ(关)

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    46ns/140ns

  • 测试条件:

    480V,27A,5 欧姆,15V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-247-3

  • 供应商器件封装:

    TO-247AC

  • 描述:

    IGBT 600V 55A 200W TO247AC

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多IRG4PC50UDPBF供应商 更新时间2025-11-30 22:12:00