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IRG4PH40UPBF	文件：619.68 Kbytes Page：9 Pages	Ultra Fast Speed IGBT Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequenciesupto40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode •NewIGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgenerations •Optimizedforpowerconversion;SMPS,UPS and	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4PH40UPBF	文件：620.64 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4PH40UPBF	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 1200V 41A 160W TO247AC	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4PH40UPBF_15	文件：620.64 Kbytes Page：9 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
4PH40	文件：40.59 Kbytes Page：2 Pages	SINGLE-PHASEFULLWAVEBRIDGE4AMPERESFORP.C.BOARDANDHEATSINKMOUNTING	edi edi
IRG4PH40FD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4PH40K	文件：157.57 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=1200V,Vce(on)typ.=2.74V,@Vge=15V,Ic=15A) Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious g	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4PH40KD	文件：217.59 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=1200V,Vce(on)typ.=2.47V,@Vge=15V,Ic=15A) Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiency thanpreviousgenerations •IGBTco-packagedwithHE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
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IRG4PH40KDPBF	文件：753.97 Kbytes Page：11 Pages	INSUALATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHYLTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Tighterparameterdistributionandhigherefficiency thanpreviousgenerations •IGBTco-packagedwithHE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4PH40KDPBF	文件：754.94 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4PH40KPBF	文件：527.35 Kbytes Page：8 Pages	ShortCircuitRatedUltraFastIGBT Features •Highshortcircuitratingoptimizedformotorcontrol, tsc=10µs,VCC=720V,TJ=125°C, VGE=15V •Combineslowconductionlosseswithhigh switchingspeed •Latestgenerationdesignprovidestighterparameter distributionandhigherefficiencythanprevious g	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4PH40KPBF	文件：536.29 Kbytes Page：9 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4PH40MD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4PH40SD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4PH40U	文件：163.93 Kbytes Page：8 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR(Vces=1200V,Vce(on)typ.=2.43V,@Vge=15V,Ic=21A) Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequenciesupto40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode •NewIGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgenerations •Optimizedforpowerconversion;SMPS,UPS and	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4PH40UD	文件：220.5 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE(Vces=1200V,Vce(on)typ.=2.43V,@Vge=15V,Ic=21A) Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequenciesupto40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode •NewIGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgenerations •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ult	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4PH40UD	文件：98.39 Kbytes Page：35 Pages	FitRate/EquivalentDeviceHours	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4PH40UDPBF	文件：261.23 Kbytes Page：10 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIODE	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司
IRG4PH40UDPBF	文件：677.53 Kbytes Page：11 Pages	INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRAFASTSOFTRECOVERYDIDDE Features •UltraFast:Optimizedforhighoperating frequenciesupto40kHzinhardswitching, >200kHzinresonantmode •NewIGBTdesignprovidestighter parameterdistributionandhigherefficiencythan previousgenerations •IGBTco-packagedwithHEXFREDTMultrafast, ult	IRFInternational Rectifier 英飞凌英飞凌科技公司

产品属性

产品编号：
IRG4PH40UPBF
制造商：
Infineon Technologies
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
卷带（TR）
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
3.1V @ 15V，21A
开关能量：
1.04mJ（开），3.4mJ（关）
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
24ns/220ns
测试条件：
960V，21A，10 欧姆，15V
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-247-3
供应商器件封装：
TO-247AC
描述：
IGBT 1200V 41A 160W TO247AC

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市安博威科技有限公司	IRG4PH40UPBF	INFINEON/IR	11+/12+	TO-247-3	650		询价
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更多IRG4PH40UPBF供应商更新时间2024-4-25 14:01:00

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